論文專著：
在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物和國(guó)際會(huì)議上共發(fā)表過論文200余篇。他曾與人合著出版專著一部，合作譯著三本，分別是:《雙極和MOS型半導(dǎo)體器件原理》(復(fù)旦大學(xué)出版社，1990年)，《半導(dǎo)體器件的分析和模擬》(上海科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)出版社，1986年)，《Solid State Electronic Devices 》（復(fù)旦大學(xué)出版社，2003年）與《Application－Specific Integrated Circuits》（電子工業(yè)出版社，2004年）。他還主編了《第一屆國(guó)際ASIC會(huì)議論文集》(電子工業(yè)出版社，1994年)，《第二屆國(guó)際ASIC會(huì)議論文集》(上海科技出版社，1996年)，《第三屆國(guó)際ASIC會(huì)議論文集》(電子工業(yè)出版社，1998年)，《第四屆國(guó)際ASIC會(huì)議論文集》(郵電出版社，2001年)，《第五屆國(guó)際ASIC會(huì)議論文集》(IEEE出版社，2003年)，《第六屆國(guó)際ASIC會(huì)議論文集》（IEEE出版社， 2005年），《第七屆國(guó)際ASIC會(huì)議論文集》（IEEE出版社，2007年），《第八屆國(guó)際ASIC會(huì)議論文集》（IEEE出版社，2009年）等。
發(fā)表論文（部分）：
1. 亞微米MOS場(chǎng)效應(yīng)管的完全解析二維模型 湯庭鰲 C.A.Paz de Araujo 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1992年 第09期
2. 用數(shù)值法分析TF-SOI-MOS管溝道區(qū)的電勢(shì)分布 湯庭鰲 鄭大衛(wèi) 黃宜平 C.A.Paz de Araujo 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1992年 第12期
3. 一種基于電荷法模型的亞閾值電流分析方法 牛國(guó)富 湯庭鰲 Carlos A.Paz de Araujo ... 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 1993年 第01期
4. SOI/MOSFET Kink效應(yīng)的模擬和分析 王曉暉 湯庭鰲 鄭大衛(wèi) 黃宜平 C.A.Pazde Araujo ... 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 1993年 第03期
5. 3DG56正向自動(dòng)增益控制晶體管f_T的電流特性分析許慶云 湯庭鰲 半導(dǎo)體技術(shù) 1982年 第06期
6. 離子注入退火過程中高濃度砷硼再分布擴(kuò)散的一種新的解析模型 湯庭鰲 Carlos Araujo 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1987年 第02期
7. 適用于獲得砷硼淺結(jié)的快速熱退火解析模型 湯庭鰲 C.A.PazdeAraujo 復(fù)旦學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 1987 年 第03期
8. 用于VHSIC的低缺陷無“鳥嘴”等平面氧化物隔離技術(shù) 高明輝 湯庭鰲 吳蘇華 半導(dǎo)體技術(shù) 1988年 第03期
9. 硼離子注入退火過程對(duì)表面遷移率及薄層電阻的影響 湯庭鰲 卡洛斯•艾勞休李倩 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 1988年 第01期
10. 適用于亞微米溝道MO SFET的閾值電壓解析模型 湯庭鰲 Carlos Araujo 陳登元 章倩苓 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1988年 第05期
11. 硅中高濃度注入的硼砷離子在熱氧化中的再分布 湯庭鰲 C.A.Paz de Araujo 復(fù)旦學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 1988年第03期
12. 短溝道MOS FET亞閾值電流的解析模型陳登元 湯庭鰲 C.A.Paz de Araujo 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1989年 第 07期
13. 雙離子注入短溝道MOS FET的閾值電壓解析模型 湯庭鰲 陳登元 Carlos Araujo 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1989 年第11期
14. 中性空位引起的本征擴(kuò)散對(duì)硅中注入砷離子在退火過程中再分布的影響 湯庭鰲 鄭大衛(wèi) C.A.Paz de Araujo 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1990年 第08期
15. 國(guó)外半導(dǎo)體發(fā)展的一些動(dòng)向 湯庭鰲 半導(dǎo)體技術(shù) 1991年第03期
16. 硅線性升溫快速熱處理氧化動(dòng)力學(xué)模型 湯庭鰲 C.A.Paz de Araujo 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1991年 第11期
17. MOS場(chǎng)效應(yīng)管的新的電流公式 湯庭鰲 王曉暉 鄭大衛(wèi) 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1994年 第10期
18. 雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管精確的二維電勢(shì)分布與V_（th）的解析模型 王曉暉 湯庭鰲 黃宜平 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 1994年 第04期
19. 多孔硅的微觀結(jié)構(gòu)及其氧化特性 黃宜平 鄭大衛(wèi) 李愛珍 湯庭鰲 崔塹 張翔九 ... 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1995年 第01期
20. 大力推動(dòng)ASIC的發(fā)展──第一屆國(guó)際ASIC會(huì)議的啟示 湯庭鰲 地質(zhì)科技管理 1995年第04期
21. 鐵電薄膜的特性、制備及應(yīng)用 湯庭鰲 半導(dǎo)體技術(shù) 1996年第06期
22. 硅基鐵電薄膜的制備和特性研究 陳崢 湯庭鰲 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1996年第10期
23. 精確的短溝MOSFET電路模型及參數(shù)提取王曉暉 湯庭鰲 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 1996年 第04期
24. 新型不揮發(fā)非破壞性讀出鐵電存儲(chǔ)器(MFS) 顏雷 黃維寧 姜國(guó)寶 湯庭鰲 微電子技術(shù) 1998年 第03 期
25. 集成鐵電電容的制備和研究 姚海平 鐘琪 黃維寧 姜國(guó)寶 洪曉菁 湯庭鰲 ... 半導(dǎo)體技術(shù) 1999年 第04期
26. Sol-Gel法制備的鐵電薄膜和Pt/Ti下電極的反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)陳崢 湯庭鰲 鄒斯洵 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1999年 第02期
27. 一種極低碼率視頻壓縮編碼算法的VLSI結(jié)構(gòu)江科 章倩苓 湯庭鰲 電子學(xué)報(bào) 1999年 第11期
28. 鐵電存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)和測(cè)試 洪曉菁 俞承芳 虞惠華 湯庭鰲 姚海平 李寧 ... 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 1999年 第01期
29. 半導(dǎo)體封裝材料供應(yīng)鏈 虞惠華 湯庭鰲 集成電路應(yīng)用 2002年第09期
30. MFIS結(jié)構(gòu)的C-V特性 顏雷 湯庭鰲 黃維寧 姜國(guó)寶 鐘琪 湯祥云 ... 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2000年第12期
31. 鐵電電容的電極結(jié)構(gòu) 姜國(guó)寶 黃維寧 湯庭鰲 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2000年 第03期
32. 用于MFIS的ZrO_2薄膜的制備及特性研究 顏雷 湯庭鰲 黃維寧 姜國(guó)寶 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2000年 第04期
33. 用于MFIS的鐵電薄膜刻蝕技術(shù)研究顏雷 黃維寧 姜國(guó)寶 湯庭鰲 程旭 鐘琪 ... 微電子學(xué) 2000年 第01期
34. 鐵電存儲(chǔ)器制備中關(guān)鍵工藝的改進(jìn) 鐘琪 林殷茵 湯庭鰲 微電子學(xué) 2000年第05期
35. 二氧化錫薄膜的電阻氣敏和光透射率氣敏性能 林殷茵 湯庭鰲 黃維寧 姜國(guó)寶 姚熹 無機(jī)材料學(xué)報(bào) 2000年 第06期
36. 虛擬儀器在存儲(chǔ)元件記憶特性測(cè)試中的應(yīng)用 俞承芳 虞惠華 湯庭鰲 半導(dǎo)體技術(shù) 2001年第04期
37. 基于CPLD的通用并行接口設(shè)計(jì)俞承芳 虞惠華 湯庭鰲 半導(dǎo)體技術(shù) 2001年 第10期
38. 二氧化錫薄膜的MOD法制備和表征林殷茵 湯庭鰲 姚熹 功能材料 2001年 第03期
39. 用于鐵電存儲(chǔ)器的PZT薄膜的制備與性能林殷茵 湯庭鰲 黃維寧 宋浩然 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2001年 第02期
40. 一種4k位串行鐵電不揮發(fā)存儲(chǔ)器的VLSI實(shí)現(xiàn) 湯祥云 王岸如 程旭 湯庭鰲 微電子學(xué) 2001年 第04 期
41. 鐵電電容模型及其在鐵電存儲(chǔ)器中的應(yīng)用 王岸如 湯庭鰲 程旭 湯祥云 微電子學(xué) 2001年 第06期
42. 應(yīng)用于非破壞性讀出鐵電存儲(chǔ)器的MFIS FET制備及其特性 顏雷 林殷茵 湯庭鰲 黃維寧 姜國(guó)寶 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2002年 第03期
43. 新型鐵電不揮發(fā)性邏輯電路的分析和實(shí)現(xiàn) 湯庭鰲 陳登元 湯祥云 程君俠 虞惠華 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2002年 第11期
44. Pb(Zr_(0.6)Ti_(0.4))O_3/LaNiO_3鐵電電容的制備及其疲勞特性康曉旭 林殷茵 湯庭鰲 王曉光 鐘宇 黃維寧 ... 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2003年第06期
45. LNO薄膜電極的制備及其特性研究 康曉旭 林殷茵 湯庭鰲 鐘宇 黃維寧 姜國(guó)寶 ... 功能材料 2003 年 第03期
46. 鐵電存儲(chǔ)器中Pb(Zr,Ti)O_3集成鐵電電容的制備黃維寧 姜國(guó)寶 林殷茵 湯庭鰲 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2003年 第01期
47. 用于非破壞性讀出鐵電存儲(chǔ)器的MFIS結(jié)構(gòu)的機(jī)理研究林殷茵 湯庭鰲 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2003 年 第03期
48. 鐵電存儲(chǔ)器在FPGA中應(yīng)用的初步研究嚴(yán)杰鋒 林茵殷 湯庭鰲 程旭 微電子學(xué) 2003年 第06期
49. La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化學(xué)溶液淀積法制備與表征及其應(yīng)用 鐘宇王曉光 林殷茵 黃維寧 湯庭鰲 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2005年 第02期
50. DES密碼電路的抗差分功耗分析設(shè)計(jì) 韓軍 曾曉洋 湯庭鰲 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005年第08期
51. 一種新的鐵電電容模型及其在1T/1C FeRAM中的應(yīng)用 程旭 湯庭鰲 王曉光 鐘宇 康曉旭 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2004年 第01期
52. Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化學(xué)溶液淀積方法制備及表征王曉光 林殷茵 湯庭鰲 半導(dǎo)體技術(shù) 2004年 第03期
53. 鐵電非揮發(fā)邏輯的設(shè)計(jì)和應(yīng)用 程旭 湯庭鰲 鐘宇 王曉光 康曉旭 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2004年 第04期
54. PZT懸臂梁結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì) 黃聰 林殷茵 湯庭鰲 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2004年 第04期
55. 鑭摻雜對(duì)PZT鐵電薄膜漏電學(xué)特性的影響程繼 林殷茵 湯庭鰲 功能材料 2004年 第06期
56. 一種MFIS類結(jié)構(gòu)的閾值電壓新模型及其C—V特性分析 陳園琦 林殷茵 湯庭鰲 夏立 復(fù)旦學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2005年 第01期
57. 溶膠-凝膠法制備BiFeO_3鐵電薄膜的結(jié)構(gòu)和特性 楊彩霞 林殷茵 湯庭鰲 功能材料 2005年第03期
58. 基于C-V,I-V,Q-V特性的鐵電電容新模型陳小明 湯庭鰲 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005年 第05期
59. 相變存儲(chǔ)器的高可靠性多值存儲(chǔ)設(shè)計(jì) 洪洋 林殷茵 湯庭鰲 Bomy Chen 復(fù)旦學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2006年 第01期
60. RSA密碼算法的功耗軌跡分析及其防御措施 韓軍 曾曉洋 湯庭鰲 計(jì)算機(jī)學(xué)報(bào) 2006年第04期
61. 高速抗噪聲CMOS動(dòng)態(tài)電路設(shè)計(jì)(英文) 賴練章 湯庭鰲 林殷茵 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2006年 第06期
62. 氮摻雜Ge_2Sb_2Te_5相變存儲(chǔ)器的多態(tài)存儲(chǔ)功能賴云鋒 馮潔 喬保衛(wèi) 凌云 林殷茵 湯庭鰲 ... 物理學(xué)報(bào) 2006年第08期
63. 基于時(shí)間隨機(jī)化的密碼芯片防攻擊方法 韓軍 曾曉洋 湯庭鰲 計(jì)算機(jī)工程 2007年第02期
64. 集成模乘求逆雙重運(yùn)算的抗攻擊RSA協(xié)處理器韓軍 曾曉洋 陸榮華 趙佳 湯庭鰲 小型微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 2007年 第04期
65. 相變存儲(chǔ)器多態(tài)存儲(chǔ)方法 劉欣 周鵬 林殷茵 湯庭鰲 賴云峰 喬保衛(wèi) ... 復(fù)旦學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2008年 第01期
66. 工藝條件對(duì)PZT薄膜界面層電容的影響費(fèi)瑾文 湯庭鰲 半導(dǎo)體技術(shù) 2008年 第10期
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復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)系教授、博士生導(dǎo)師。1961年畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系。1984-1985年，1989-1990年他曾赴美國(guó)科羅拉多大學(xué)電機(jī)系任訪問學(xué)者，與該大學(xué)的相關(guān)專家合作開展研究工作。現(xiàn)任IET Fellow，IET 上海分會(huì)副主席；IEEE高級(jí)會(huì)員，IEEE SSCS上海支分會(huì)主席；中國(guó)電子學(xué)會(huì)理事、學(xué)術(shù)工作委員會(huì)委員、高級(jí)會(huì)員，《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》理事，《半導(dǎo)體技術(shù)》、《微電子技術(shù)》編委。
20世紀(jì)60年代， 曾從事“量子統(tǒng)計(jì)和多體問題”方面的教學(xué)和科研工作。其授課課程有《量子力學(xué)》、 《量子統(tǒng)計(jì)和多體問題》、《數(shù)學(xué)物理方程》等。他曾參與我國(guó)第一本《量子力學(xué)》教科書的編寫工作。從70年代開始，他又進(jìn)入到半導(dǎo)體工藝、半導(dǎo)體器件和集成電路方面的研究工作中，參與了晶體管大電流特性，EDMOS基準(zhǔn)電壓源，BI-CMOS工藝，小尺寸MOS器件模型等研究工作，得到了退火條件對(duì)離子注入再分布影響的解析模型，并建立了能說明亞微米MOS場(chǎng)效應(yīng)管短溝道效應(yīng)及亞閾值特性的閾值電壓解析模型。他曾主持復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)科國(guó)家“六五”和“七五”攻關(guān)項(xiàng)目，并獲得電子工業(yè)部頒發(fā)的“七五攻關(guān)”有突出貢獻(xiàn)人員證書。同時(shí)，作為一名教師，他還為微電子專業(yè)的本科生和研究生開設(shè)了相關(guān)的學(xué)習(xí)課程：《半導(dǎo)體器件原理》、《固體物理學(xué)》、《集成電路物理基礎(chǔ)》與《VLSI器件物理》等。90年代以來， 將研究工作的重點(diǎn)轉(zhuǎn)到了新興的邊緣學(xué)科和交叉學(xué)科——集成鐵電學(xué)和集成鐵電技術(shù)方面，分別開展了PZT、SBT、BST、BLT、SBTi、BFO等鐵電薄膜制備技術(shù)、特性，鐵電器件及其應(yīng)用的研究工作。他研究了集成鐵電薄膜電容的形成技術(shù)以及刻蝕技術(shù)，開展了鐵電不揮發(fā)存儲(chǔ)器 FeRAM單元和單管單元MFIS及不揮發(fā)邏輯電路等的研究，并通過大量的國(guó)際交流合作開展了新型相變不揮發(fā)存儲(chǔ)器（PCM ）的研制工作。
