科學(xué)研究：
主要研究領(lǐng)域：
寬禁帶半導(dǎo)體ZnO和AlN單晶材料生長、缺陷和物性研究；冶金法提純多晶硅技術(shù)及應(yīng)用開發(fā)；高效太陽電池用低位錯Ge單晶生長與缺陷控制；大直徑InAs單晶生長及材料性質(zhì)。
承擔(dān)科研項目情況：
（ 1 ） 新型中長波紅外探測器襯底GaSb和InAs單晶材料制備及應(yīng)用, 主持, 市地級, 2018-03--2020-12
（ 2 ） 面向紅外探測應(yīng)用的GaSb單晶雜質(zhì)、缺陷及物性研究, 主持, 國家級, 2015-01--2018-12
（ 3 ） 4-6英寸InP單晶VGF生長技術(shù), 主持, 院級, 2017-03--2019-12
（ 4 ） 高質(zhì)量GaSb單晶襯底加工技術(shù)及紅外探測應(yīng)用, 主持, 市地級, 2017-08--2018-12
（ 5 ） 磷化銦材料, 主持, 國家級, 2019-10--2022-09
（ 6 ） 高純磷化銦多晶制備技術(shù)及晶園襯底制備, 主持, 院級, 2020-01--2020-12
主要學(xué)術(shù)成績：
通過實驗研究揭示了原生磷化銦材料中氫-銦空位復(fù)合體缺陷的形成規(guī)律以及與材料電學(xué)補償和熱生缺陷的關(guān)系。通過研究和比較純磷和磷化鐵氣氛下高溫退火處理磷化銦材料后產(chǎn)生的深能級缺陷，發(fā)現(xiàn)了與退火過程中原子擴散有關(guān)的缺陷產(chǎn)生與抑制現(xiàn)象并給出了物理解釋。在此基礎(chǔ)上證明這些深能級缺陷大部分與銦空位有關(guān)。同時掌握了抑制深能級缺陷產(chǎn)生、制備高質(zhì)量半絕緣磷化銦材料的物理機理和技術(shù)途徑。對影響晶體完整性的因素進行了全面的分析研究，包括微缺陷的成因、結(jié)構(gòu)位錯的形成原因以及所產(chǎn)生的晶格畸變、點缺陷對晶格完整性的影響等。這些研究成果有效促地進了高質(zhì)量磷化銦等材料單晶生長技術(shù)和單晶襯底制備技術(shù)的提高。
1 化合物半導(dǎo)體晶體生長用高純石英器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化 濮陽坤;趙有文;張堯;陶明頓;龐海濤;李愛霞 連云港福東正佑照明電器有限公司 2017
2 6英寸VGF法鍺單晶片生產(chǎn)關(guān)鍵工藝技術(shù)研究 惠峰;李蘇濱;柳廷龍;鐘文;李雪峰;呂春富;董汝昆;肖祥江;趙有文;高永亮;董志遠;趙燕;張丹;段鑫敏;李明宣 云南中科鑫圓晶體材料有限公司 2016
3 以冷坩堝技術(shù)為寄出的光伏級多晶硅工業(yè)試驗 董志遠;趙有文;楊俊;王俊;段滿龍;楊鳳云;霍佃鑫;胡雪松;劉彤;羅龍 包頭市山晟新能源有限責(zé)任公司 2012
4 深紫外LED用AlGaN材料生長研究 王軍喜;趙有文;劉喆;閆建昌;馬平 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008
5 半導(dǎo)體光電功能材料磷化銦、氮化鎵和氧化鋅的特性研究 許小亮;趙有文;施朝淑 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2003
6 Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體電學(xué)輸運和發(fā)光特性的研究 許小亮;趙有文;施朝淑;劉洪圖 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2003
制定標(biāo)準(zhǔn)：
1 磷化銦多晶 GB/T 36706-2018 2019-07-17 國家標(biāo)準(zhǔn)
2 LED外延芯片用磷化鎵襯底 GB/T 30855-2014 2015-04-30 國家標(biāo)準(zhǔn)
3 LED外延芯片用砷化鎵襯底 GB/T 30856-2014 2015-04-30 國家標(biāo)準(zhǔn)
4 太陽能電池用砷化鎵單晶 GB/T 25075-2010 2012-03-13 國家標(biāo)準(zhǔn)
5 化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法 GB/T 26070-2010 2012-03-13 國家標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)明專利：
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論文專著：
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趙有文，男，博士，現(xiàn)任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，博士生導(dǎo)師。 
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