專家信息：
1982年9月至1986年7月山東大學物理系物理學專業，理學學士。
1986年9月至1989年7月山東大學物理系凝聚態物理專業，理學碩士。
1989年9月至1992年7月山東大學晶體所凝聚態物理專業，理學博士。
1992年7月至1995年9月山東大學晶體所，講師、副教授。
1995年10月至1997年8月德國亞堔大學半導體技術研究所，博士后。
1997年9月至1998年12月加拿大Simon Fraser大學，博士后、助研。
1999年1月至2000年1月美國超延有限公司，技術部經理。
2000年1月至今山東大學晶體所，副主任、長江學者特聘教授。
2000年至今山東浪潮華光光電子有限公司，總工程師、常務副總。
1． 國家863計劃半導體照明工程總體專家組成員。
2． 國務院學位委員會委員。
3． 美國物理學會會員。
4． 山東華光光電子有限公司總工程師。
5． 中國晶體學會理事。
6． 中國青年材料委員會理事。
7． 《材料科學與工程》雜志編委。
8． 中國晶體協會理事。
9． 《人工晶體學報》專業委員。
教學情況：
“化合物半導體材料與器件”。
在讀研究生8人，其中博士生5人，碩士生3人。
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主要從事化合物半導體材料（包括As, P, Sb 和 氮化物）的外延生長和器件應用，以及寬禁帶半導體材料（主要是SiC材料）的生長和器件應用研究。
1． 重點實驗室經費：寬禁帶半導體，2010.1-2010.12。
2． 省自主創新：3英寸6H-SiC單晶生長研究，2010.1-2010.12。
3． 973項目：金屬/介質納米結構提高功率二極管量子效率的研究，2009-2013。
4． 核高基：2009ZX01001-001-02 XXX單晶襯底材料，2010-1011。
5． 科技攻關項目：Zn擴散窗口工藝制備高可靠鎂摻雜AlInP包層半導體激光器。
6． 國家863計劃：SiC單晶襯底制備。
7． 山東省重大專項：基于SiC襯底的GaN發光二極管材料與管芯技術。
8． 國家杰出青年基金：MOCVD生長半導體異質結構及其器件應用。
1． 高功率808nm非對稱無鋁應變量子阱激光器 夏偉; 徐現剛 ; 李沛旭; 張新; 湯慶敏; 李樹強; 任忠祥; 張成山; 蘇建; 王海衛; 單立英 【科技成果】山東華光光電子有限公司 2009-12-01
2． 超高亮度紅色發光二極管外延材料及管芯制備 李樹強; 任忠祥; 徐現剛 ; 張新; 夏偉; 馬光宇; 趙霞焱; 張成山; 單立英; 劉長江 【科技成果】山東華光光電子有限公司 2008-12-01
3． 基于換襯底技術的超高亮度LED制備技術 任忠祥; 夏偉; 徐現剛 ; 李樹強; 蘇建; 張新; 張秋霞; 張成山; 陳康 【科技成果】山東浪潮華光光電子股份有限公司 2010-12-01
4． 激光顯示用TM偏振大功率808nm激光器 任忠祥; 李沛旭; 夏偉; 張新; 徐現剛 ; 于果蕾; 湯慶敏; 鄭鐵民; 張成山; 王海衛 【科技成果】山東浪潮華光光電子股份有限公司; 長春理工大學; 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 2011-09-01
5． 半導體照明用高亮度藍光LED外延材料和管芯研制 李樹強; 徐現剛 ; 任忠祥; 沈燕; 曲爽; 夏偉; 劉存志; 張成山; 馮建 【科技成果】山東華光光電子有限公司 2011-07-06
1． 一種采用鋁組分漸變電子阻擋層的LED結構 王成新; 王強; 徐現剛 ; 李樹強; 曲爽 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-12-12
2． 一種采用勢壘高度漸變量子壘的LED結構及其制備方法 王成新; 王強; 徐現剛 ; 李樹強; 曲爽 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-12-12
3． 具有漢字圖形的LED芯片電極(1) 藺福合; 沈燕; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2013-01-09
4． 具有漢字圖形的LED芯片電極(2) 藺福合; 沈燕; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2013-01-09
5． 一種提高藍寶石襯底氮化鎵外延層均勻性的方法 邵慧慧; 徐現剛 ; 曲爽; 王成新; 李樹強 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2013-01-02
6． 一種藍寶石圖形襯底的制備方法 劉巖; 王德曉; 邵慧慧; 劉存志; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2013-01-09
7． 一種全固態三基色激光器芯片及其制作方法 夏偉; 蘇建; 張秋霞; 任忠祥; 徐現剛 【中國專利】山東浪潮華光光電子有限公司 2013-03-06
8． 一種提高4H-SiC單晶晶型穩定性的方法 徐現剛 ; 彭燕; 胡小波; 高玉強; 宋生; 王麗煥; 魏汝省 【中國專利】山東大學 2011-12-07
9． 一種光輔助紅光LED的磷化鎵窗口層濕法粗化的方法 劉鐸; 左致遠; 王瑞軍; 于謙; 馮兆斌; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2011-12-14
10． GaN基垂直結構LED中SiC襯底的剝離方法 劉曉燕; 沈燕; 徐化勇; 李樹強; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-05-23
11． 提高發光效率的GaN基LED外延片及其制備與應用 曲爽; 徐現剛 ; 李毓鋒; 王成新; 李樹強 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-06-06
12． 刻面明亮琢型碳硅石寶石及其切磨加工方法 徐現剛 ; 田亮光; 付芬 【中國專利】山東大學 2012-07-04
13． 氮化鎵基高電子遷移率晶體管及其制作方法 張洪月; 曲爽; 李樹強; 王成新; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-07-04
14． 一種氮化物分布式布拉格反射鏡及制備方法與應用 曲爽; 李樹強; 李毓鋒; 王成新; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-07-18
15． 制備及調控表面粗化的ZnO納米錐或納米棒陣列的方法 吳擁中; 尹正茂; 郝霄鵬; 劉曉燕; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2012-07-18
16． 一種含有圖形化DBR結構的襯底 沈燕; 張木青; 王成新; 李樹強; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-09-19
17． 一種三相電阻加熱裝置 于國建; 張雷; 郝霄鵬; 胡小波; 徐現剛 【中國專利】山東天岳先進材料科技有限公司 2012-09-19
18． 一種溫場調節裝置 于國建; 張雷; 郝霄鵬; 胡小波; 徐現剛 【中國專利】山東天岳先進材料科技有限公司 2012-09-12
19． 一種適用于制備高亮度LED的藍寶石圖形襯底的光刻版 張雷; 于國建; 郝霄鵬; 胡小波; 徐現剛 【中國專利】山東天岳先進材料科技有限公司 2012-09-12
20． 一種碲化鋅/砷化鎵異質外延層的制備方法 冀子武; 黃樹來; 趙雪琴; 張磊; 郭其新; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2012-10-03
21． 一種采用AlInN量子壘提高GaN基LED內量子效率的LED結構及制備方法 王成新; 王強; 徐現剛 ; 李樹強; 曲爽 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-10-17
22． 一種采用AlGaInN四元材料作為量子阱和量子壘的LED結構及其制備方法 王成新; 王強; 徐現剛 ; 李樹強; 曲爽 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-10-17
23． 帶有ZnO微米圖形陣列的LED管芯及其制備方法 吳擁中; 尹正茂; 郝霄鵬; 劉曉燕; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2012-10-24
24． 帶有ZnO微米和納米復合結構的LED管芯及其制備方法 吳擁中; 尹正茂; 郝霄鵬; 劉曉燕; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2012-10-24
25． 一種低應力的氮化鎵外延層的制備方法 曲爽; 徐現剛 ; 邵慧慧; 王成新; 李樹強 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-10-31
26． 一種以石墨烯作為緩沖層外延GaN的結構及其制備方法 曲爽; 徐現剛 ; 邵慧慧; 王成新; 李樹強 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2012-11-07
27． 一種大直徑4H-SiC晶片碳面的表面拋光方法 陳秀芳; 徐現剛 ; 胡小波; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2011-02-09
28． 一種GaN基LED管芯P型GaN層的結構 徐現剛 ; 沈燕; 胡小波 【中國專利】山東大學 2011-01-19
29． 具有較高靜電擊穿電壓的GaN基LED 吳德華; 朱學亮; 曲爽; 李樹強; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-02-16
30． 一種半導體激光器巴條制作方法 于果蕾; 湯慶敏; 房玉鎖; 徐現剛 ; 夏偉 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-03-30
31． 一種制備GaN基LED的方法 沈燕; 徐現剛 ; 王成新; 夏偉; 李樹強 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-03-30
32． 錐狀圖形襯底的兩次腐蝕制備方法 邵慧慧; 曲爽; 王成新; 李樹強; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-04-06
33． 一種光纖耦合輸出半導體激光器輸出光斑勻化方法 于果蕾; 開北超; 湯慶敏; 孟秋真; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-04-13
34． 一種金屬介質納米結構發光二極管及其制備方法 夏偉; 張秋霞; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-04-27
35． 平板倒裝焊GaN基LED芯片結構 沈燕; 徐現剛 ; 徐化勇; 鄭鵬 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-04-27
36． 一種管芯串聯激光器封裝方法 于果蕾; 房玉鎖; 李沛旭; 湯慶敏; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-25
37． 一種光纖耦合半導體激光器輸出光帶指示裝置 于果蕾; 孟秋真; 湯慶敏; 徐現剛 ; 李沛旭 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-06-01
38． 一種半導體激光器雙弧面鍍膜光纖整形方法 于果蕾; 徐現剛 ; 湯慶敏; 李沛旭; 房玉鎖 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-06-01
39． 在大直徑6H-SiC碳面上生長石墨烯的方法 陳秀芳; 魏汝省; 胡小波; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2011-05-11
40． 一種GaAs基LED芯片的激光切割方法 趙霞焱; 徐現剛 ; 張秋霞; 黃少梅 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-06-01
41． 一種干法與濕法混合制備藍寶石圖形襯底的方法 邵慧慧; 曲爽; 王成新; 李樹強; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-18
42． 倒裝功率LED管芯自由組合燈芯 沈燕; 徐現剛 ; 徐化勇; 張玉娟 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-18
43． 一種電致/光致混合發光白光LED芯片及制作方法 夏偉; 蘇建; 張秋霞; 任忠祥; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-18
44． 單芯片白光LED及其制備方法 蘇建; 夏偉; 張秋霞; 任忠祥; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-18
45． 一種白光LED芯片及其制備方法 張秋霞; 夏偉; 蘇建; 任忠祥; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-18
46． 一種LED芯片的切割方法 張秋霞; 任忠祥; 夏偉; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-06-15
47． 基于激光器的SiC襯底LED大面積可控表面粗化刻蝕方法 左致遠; 劉鐸; 徐現剛 ; 何京良 【中國專利】山東大學 2011-06-29
48． 一種GaN基LED外延片表面粗化方法 曲爽; 邵慧慧; 王成新; 李樹強; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2011-07-20
49． 一種利用ZnO納米錐陣列提高LED發光效率的方法 吳擁中; 尹正茂; 郝霄鵬; 劉曉燕; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2011-08-17
50． 一種測量SiC晶體中微管密度的方法 王翎; 彭燕; 徐現剛 ; 胡小波; 寧麗娜 【中國專利】山東大學 2011-09-07
51． 一種金屬納米顆粒輔助實現發光二極管表面粗化的方法 王瑞軍; 劉鐸; 左致遠; 于謙; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2011-08-31
52． 一種刻面碳化硅寶石成品的加工方法 付芬; 徐現剛 ; 田亮光 【中國專利】山東大學 2011-09-28
53． 一種LED外延片表面制備TiO2 納米柱陣列的方法 郝霄鵬; 劉曉燕; 吳擁中; 尹正茂; 周偉家; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2011-10-12
54． 作為提高LED出光效率微透鏡的聚苯乙烯半球的制備方法 郝霄鵬; 劉曉燕; 鞏海波; 吳擁中; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2010-09-08
55． 一種SiC襯底GaN基LED的濕法腐蝕剝離方法 吳德華; 朱學亮; 李樹強; 王成新; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-08-04
56． 基于激光器的LED大面積可控表面粗化及刻蝕方法 劉鐸; 左致遠; 張百濤; 何京良; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2010-10-20
57． 一種SiC襯底LED的歐姆接觸電極制備方法 沈燕; 徐現剛 ; 徐化勇; 王成新; 李樹強 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08
58． 一種有效利用電流的LED電極結構及其制作方法 張秋霞; 徐現剛 ; 夏偉; 蘇建; 陳康 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08
59． GaN基LED圖形化透明導電薄膜的制作方法 沈燕; 徐現剛 ; 鄭鵬; 劉存志; 李樹強 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08
60． 一種反極性AlGaInP紅光LED芯片電流擴展的制作方法 夏偉; 徐現剛 ; 蘇建; 張新; 張秋霞; 陳康; 任忠祥 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08
61． 一種適合激光剝離的大功率GaN基LED外延結構 劉長江; 張成山; 徐現剛 ; 任忠祥 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08
62． 一種退火剝離倒裝SiC襯底GaN基LED的制作方法 吳德華; 朱學亮; 楊鑫沼; 曲爽; 李樹強; 王成新; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08
63． 石墨烯光學調Q開關及應用 于浩海; 徐現剛 ; 陳秀芳; 張懷金; 胡小波; 王正平; 王繼揚; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2010-12-08
64． 一種半導體激光器掩蔽膜的制作方法 夏偉; 徐現剛 ; 任忠祥 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2007-08-22
65． 一種具有新型摻雜GaP層的AlGaInP發光二極管 李樹強; 徐現剛 ; 夏偉; 張新; 任忠祥; 張成山; 趙克家 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2007-09-05
66． 一種高亮度發光二極管芯片的制備方法 任忠祥; 夏偉; 徐現剛 ; 李樹強 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2007-09-05
67． 一種P型磷化鎵半導體材料及其制備方法 徐現剛 ; 李樹強; 夏偉; 張新; 任忠祥; 趙克家; 張成山 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2007-09-12
68． 彩色碳硅石單晶及其制備方法與人造寶石的制備 陳秀芳; 徐現剛 ; 胡小波; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2007-09-19
69． 一種在SiC襯底上制備的發光二極管 徐現剛 ; 寧麗娜; 李樹強; 胡小波; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2007-10-24
70． 帶電流調整層的AlGaInP系LED芯片及其制備方法 吳作貴; 張新; 李樹強; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-05-26
71． 半導體激光器TO管座封裝光束壓縮工藝 湯慶敏; 蘇建; 于果蕾; 夏偉; 徐現剛 ; 王海衛; 李佩旭; 劉長江 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-01-06
72． 一種利用交變電場制備納米顆粒的方法 郝霄鵬; 高敞; 吳擁中; 鞏海波; 徐現剛 ; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2008-08-20
73． 一種高效半導體納米材料的制備方法及其應用 崔得良; 徐現剛 ; 高善民; 殷永泉; 黃柏標; 潘教青; 王繼揚; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2001-10-10
74． CaAsSb/InP雙異質結晶體三極管及其制備方法 徐現剛 ; 崔得良; 白玉俊; 郝霄鵬 【中國專利】山東大學 2001-10-17
75． 制備氮化硼納米微粉的方法 崔得良; 郝霄鵬; 徐現剛 ; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2001-11-28
76． 水熱條件下制備氮化物超微粉和氮化物晶體的方法 郝霄鵬; 崔得良; 于美燕; 徐現剛 ; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2002-08-21
77． 一種高效半導體納米材料的應用 崔得良; 徐現剛 ; 高善民; 殷永泉; 黃柏標; 潘教青; 王繼揚; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2004-05-12
78． 一種生長具有半導體特性的大直徑6H-SiC單晶的裝置和方法 徐現剛 ; 胡小波; 王繼揚; 王麗; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2004-12-15
79． 低溫低壓合成氮化物晶體材料的方法 郝霄鵬; 徐現剛 ; 張懷金; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2004-12-29
80． 具有阻尼的晶體旋轉提拉裝置 王繼揚; 劉宏; 高磊; 張懷金; 徐現剛 ; 蔣民華; 吳建波; 秦曉勇; 朱懷烈 【中國專利】山東大學 2005-03-23
81． 一種用于近化學計量比鈮酸鋰晶體生長的懸掛坩堝及生長方法 王繼揚; 劉宏; 高磊; 張懷金; 徐現剛 ; 蔣民華; 吳建波; 秦曉勇; 朱懷烈 【中國專利】山東大學;中電科技德清華瑩電子有限公司 2005-08-17
82． 消除ZnSe/BeTeⅡ量子阱中內秉電場的方法 冀子武; 鄭雨軍; 趙雪琴; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2010-05-26
83． 大直徑SiC單晶的切割方法 徐現剛 ; 胡小波; 陳秀芳; 李娟; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2006-03-01
84． 大直徑高硬度6H-SiC單晶片的表面拋光方法 徐現剛 ; 胡小波; 陳秀芳; 蔣民華 【中國專利】山東大學 2006-09-27
85． 用于半導體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法 胡小波; 寧麗娜; 李娟; 王英民; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2008-11-12
86． 利用YAG透明陶瓷制備白光LED的方法 劉長江; 徐現剛 ; 張成山; 任忠祥; 劉琦 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2009-01-07
87． 非對稱結構的無鋁有源區808nm大功率量子阱激光器 李沛旭; 李樹強; 夏偉; 張新; 湯慶敏; 任忠祥; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2009-01-07
88． 一種白光LED 劉長江; 徐現剛 ; 張成山; 任忠祥; 沈燕; 呂啟超 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2009-05-13
89． 一種中低功率半導體激光器的封裝制作方法 王海衛; 湯慶敏; 徐現剛 ; 夏偉; 蘇建; 李沛旭 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2008-12-24
90． 用光致激發在非摻雜量子阱中產生帶電激子的方法及裝置 冀子武; 鄭雨軍; 趙雪琴; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2009-09-23
91． 用分子束外延工藝制備Ⅱ型量子阱的方法及設備 冀子武; 鄭雨軍; 趙雪琴; 李炳生; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2009-09-23
92． 藍寶石襯底的AlGaInP發光二極管外延片及其制備方法 李樹強; 徐現剛 ; 張新; 馬光宇; 任忠祥; 夏偉; 吳小強; 盧振; 于軍; 吳作貴 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2009-09-23
93． 硅襯底上外延生長的鋁鎵銦磷發光二極管 李樹強; 徐現剛 ; 張新; 馬光宇; 吳小強; 盧振 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-01-27
94． 6H-SiC基底反極性AlGaInP LED芯片 徐現剛 ; 夏偉; 蘇建 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2009-09-23
95． 硅襯底上生長的鋁鎵銦磷LED外延片及其制備方法 李樹強; 徐現剛 ; 張新; 馬光宇; 吳小強; 盧振 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2009-09-23
96． 基于GaAs襯底的AlGaInP四元三端電極發光管 沈燕; 劉存志; 李懿洲; 趙霞炎; 彭璐; 鄭鵬; 張新; 李樹強; 夏偉; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2009-11-25
97． 藍寶石襯底的AlGaInP發光二極管 李樹強; 徐現剛 ; 張新; 馬光宇; 任忠祥; 夏偉; 吳小強; 盧振; 于軍; 吳作貴 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-01-27
98． 一種垂直GaN基LED芯片及其制作方法 沈燕; 徐現剛 ; 李樹強; 夏偉; 任忠祥 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2009-12-16
99． 降低位錯缺陷的GaN基LED芯片外延生長方法 朱學亮; 吳德華; 曲爽; 吳亭; 李樹強; 徐現剛 ; 任忠祥 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-05-05
100． 一種光子晶體結構GaN基LED的制作方法 郝霄鵬; 鞏海波; 吳擁中; 夏偉; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2010-06-16
101． 大功率LED灌封工藝 莊智勇; 徐現剛 ; 夏偉; 張成山; 劉長江 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-06-30
102． 一種SiC或Si襯底GaN基晶體的結構及其生長方法 吳德華; 朱學亮; 曲爽; 李毓鋒; 李樹強; 徐現剛 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-07-07
103． 具有電子空穴雙重限制的AlGaInP系LED及其制備方法 李樹強; 徐現剛 ; 張新; 吳作貴 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-07-07
104． 一種高出光率SiC襯底LED芯片及其制備方法 吳德華; 朱學亮; 曲爽; 張鴻月; 李樹強; 徐現剛 ; 任忠祥 【中國專利】山東華光光電子有限公司 2010-02-03
105． 一種利用ITO顆粒掩膜粗化紅光發光二極管的方法 郝霄鵬; 鞏海波; 夏偉; 吳擁中; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2010-02-24
106． 利用PS球作模板制作發光二極管粗化表面的方法 郝霄鵬; 夏偉; 鞏海波; 吳擁中; 徐現剛 【中國專利】山東大學 2010-02-24
先后在國際性學術期刊上發表論文120多篇，被SCI和EI收錄論文約70篇。
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1 山東省半導體照明材料發展報告 胡小波; 徐現剛 ; 王繼揚 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】山東省材料發展報告2010～2011 2012-01-01
2 SiC單晶中生長缺陷的研究進展 胡小波; 彭燕; 陳秀芳; 宋生; 魏汝省; 王麗煥; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】第十六屆全國晶體生長與材料學術會議論文集-06晶體結構、缺陷和表征 2012-10-21
3 4H-SiC晶體表面形貌和缺陷 彭燕; 胡小波; 徐現剛 ; 魏汝省; 徐化勇; 宋生; 高玉強 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】第15屆全國晶體生長與材料學術會議論文集 2009-11-06
4 SiC襯底上GaN基的材料生長及器件研究 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東華光光電子有限公司 【中國會議】第十一屆全國MOCVD學術會議論文集 2010-01-13
5 MOCVD生長AlGaInP/InGaAsP大功率808 nm無鋁量子阱激光器 李沛旭; 夏偉; 李樹強; 張新; 湯慶敏; 任忠祥; 徐現剛 山東大學晶體材料重點實驗室; 山東華光光電子有限公司 【中國會議】第十五屆全國化合物半導體材料; 微波器件和光電器件學術會議論文集 2008-11-30
6 SiC襯底上MOCVD法外延GaN基藍光LED 朱學亮; 曲爽; 劉存志; 李樹強; 夏偉; 沈燕; 任忠祥; 徐現剛 山東華光光電子有限公司; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】第十五屆全國化合物半導體材料; 微波器件和光電器件學術會議論文集 2008-11-30
7 4H-Si_(1-y)C_y合金的生長及特性 俞斐; 吳軍; 韓平; 王榮華; 葛瑞萍; 趙紅; 俞慧強; 謝自力; 徐現剛 ; 陳秀芳; 張榮; 鄭有炓 南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室; 山東大學晶體材料研究所晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】第十五屆全國化合物半導體材料; 微波器件和光電器件學術會議論文集 2008-11-30
8 提高倒裝AlGaInP LED光效的表面粗化研究 張秋霞; 夏偉; 蘇建; 陳康; 孔洪美; 徐現剛 山東浪潮華光光電子有限公司 【中國會議】第十二屆全國LED產業研討與學術會議論文集 2010-09-09
9 4.8 W連續輸出大功率紅光半導體激光器的研制 王海衛; 張新; 李沛旭; 湯慶敏; 李樹強; 夏偉; 徐現剛 山東華光光電子有限公司; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】2010’全國半導體器件技術研討會論文集 2010-07-16
10 低溫苯熱合成氮化硼納米晶 郝霄鵬; 崔得良; 白玉俊; 史桂霞; 殷永泉; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】納米材料和技術應用進展——全國第二屆納米材料和技術應用會議論文集（上卷） 2001-06-30
11 氮化硼納米晶的低溫苯熱合成 郝霄鵬; 崔得良; 白玉俊; 史桂霞; 殷永泉; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】第四屆中國功能材料及其應用學術會議論文集 2001-10-01
12 Nd:La3 Ga(5.5) Ta(0.5) O(14) 晶體生長及其激光性能 孔海寬; 王繼揚; 張懷金; 劉均海; 林彥霆; 胡小波; 徐現剛 山東大學; 山東大學 【中國會議】中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集 2003-06-30
13 新型激光晶體Nd:LuVO4 的生長與性能研究 趙守仁; 張懷金; 王繼揚; 孔海寬; 劉均海; 胡小波; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集 2003-06-30
14 6H-SiC單晶中的微管和小角度晶界 韓榮江; 王繼揚; 胡小波; 徐現剛 ; 董捷; 李現祥 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集 2003-06-30
15 6H-SiC單晶的生長與缺陷 胡小波; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華; 韓榮江; 董捷; 李現祥 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集 2003-06-30
16 透射電子顯微鏡直接觀察SiC晶體中的層錯結構 徐現剛 ; 胡小波; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集 2003-06-30
17 稀土摻質YCOB系列晶體生長 張懷金; 王繼揚; 胡小波; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集 2003-06-30
18 低溫低壓苯熱合成立方氮化硼納米晶 郝霄鵬; 李玲; 董守義; 展杰; 崔得良; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集 2003-06-30
19 SiC多晶片在高能電子束照射下枝晶生長現象 李現祥; 徐現剛 ; 胡小波; 韓榮江; 董捷; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集 2003-06-30
20 高分辨X射線衍射法研究碳化硅單晶片中的多型結構 董捷; 胡小波; 韓榮江; 李現祥; 徐現剛 ; 王繼揚 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集 2003-06-30
21 低溫溶劑熱合成立方氮化鋁納米晶 李玲; 郝霄鵬; 于乃森; 徐紅燕; 徐現剛 ; 崔德良; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】中國硅酸鹽學會2003年學術年會論文摘要集 2003-06-30
22 反應溫度對苯熱合成氮化硼納米晶的影響 郝霄鵬; 展杰; 房偉; 李玲; 董守義; 崔得良; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】第五屆中國功能材料及其應用學術會議論文集Ⅱ 2004-09-01
23 溫度及溫度梯度對SiC單晶生長的影響 李現祥; 李娟; 董捷; 王麗; 姜守振; 韓榮江; 徐現剛 ; 王繼揚; 胡小波; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】第五屆中國功能材料及其應用學術會議論文集Ⅱ 2004-09-01
24 Micro-Raman光譜鑒定碳化硅單晶的多型結構 王麗; 胡小波; 董捷; 李娟; 姜守振; 李現祥; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】第五屆中國功能材料及其應用學術會議論文集Ⅱ 2004-09-01
25 GaP/GaN核殼型納米復合材料的制備 于乃森; 郝霄鵬; 展杰; 李玲; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【中國會議】第五屆中國功能材料及其應用學術會議論文集Ⅲ 2004-09-01
26 半絕緣SiC單晶生長和表征 宋生; 胡小波; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】人工晶體學報 2012-08-15
27 MOCVD生長GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm張應變量子阱激光器材料 蔣鍇; 李沛旭; 張新; 李樹強; 夏偉; 湯慶敏; 胡小波; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東華光光電子有限公司 【期刊】人工晶體學報 2012-08-15
28 不同極性6H-SiC表面石墨烯的制備及其電子結構的研究 康朝陽; 唐軍; 李利民; 潘海斌; 閆文盛; 徐彭壽; 韋世強; 陳秀芳; 徐現剛 中國科學技術大學國家同步輻射實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】物理學報 2011-04-15
29 超強磁場下非摻雜ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中激子和帶電激子的光學特性 冀子武; 鄭雨軍; 徐現剛 山東大學物理學院; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】物理學報 2011-04-15
30 碳化硅晶體的可見近紅外透射光譜分析 于元勛; 連潔; 官文櫟; 王公堂; 李娟; 徐現剛 齊魯師范學院物理系; 山東大學信息科學與工程學院; 山東師范大學物理與電子科學學院; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】山東大學學報(工學版) 2011-04-16
31 基于6H-SiC襯底外延石墨烯的被動鎖模摻鐿光纖激光器 劉江; 魏汝省; 徐佳; 徐現剛 ; 王璞 北京工業大學激光工程研究院國家產學研激光技術中心; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】中國激光 2011-08-10
32 808nm無Al量子阱激光器mini陣列的研制 王翎; 李沛旭; 房玉鎖; 湯慶敏; 張新; 夏偉; 任忠祥; 徐現剛 山東大學; 山東華光光電子有限公司 【期刊】半導體技術 2011-12-03
33 6H-SiC成核表面形貌與缺陷產生的研究 王英民; 寧麗娜; 彭燕; 徐化勇; 胡小波; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】人工晶體學報 2009-02-15
34 Mg摻雜AlInP限制層窗口結構高功率(3.7W)660nm AlGaInP寬面半導體激光器 馬德營; 李佩旭; 夏偉; 李樹強; 湯慶敏; 張新; 任忠祥; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學信息科學與工程學院; 山東華光光電子有限公司 【期刊】人工晶體學報 2009-06-15
35 退火時間對6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和結構的影響 唐軍; 劉忠良; 康朝陽; 閆文盛; 徐彭壽; 潘海斌; 韋世強; 高玉強; 徐現剛 中國科學技術大學國家同步輻射實驗室; 淮北煤炭師范學院物理與電子信息學院; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】物理化學學報 2010-01-15
36 以(10■5)面為籽晶的6H-SiC單晶生長與缺陷研究 高玉強; 彭燕; 李娟; 陳秀芳; 胡小波; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】人工晶體學報 2010-04-15
37 4H-SiC晶體表面形貌和多型結構變化研究 彭燕; 寧麗娜; 高玉強; 徐化勇; 宋生; 蔣鍇; 胡小波; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 嘉興學院 【期刊】人工晶體學報 2010-06-15
38 ITO掩膜干法粗化GaP提高紅光LED的提取效率 鞏海波; 郝霄鵬; 夏偉; 吳擁中; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東華光光電子有限公司 【期刊】光電子.激光 2010-09-15
39 ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中界面結構對發光特性的影響 冀子武; 鄭雨軍; 徐現剛 ; 魯云 山東大學物理學院; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 千葉大學大學院工學研究科 【期刊】物理學報 2010-11-15
40 退火對6H-SiC晶體的光學性質及光致發光的影響 馬崢; 連潔; 王青圃; 馬躍進; 宋平; 高尚; 吳仕梁; 王曉; 徐現剛 ; 李娟 山東大學信息科學與工程學院; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】紅外與激光工程 2010-10-25
41 濕法腐蝕制備藍寶石圖形襯底的研究 邵慧慧; 李樹強; 曲爽; 李毓鋒; 王成新; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東華光光電子有限公司 【期刊】人工晶體學報 2010-12-15
42 MOCVD生長AlGaInP/InGaAsP大功率808nm無鋁量子阱激光器 李沛旭; 夏偉; 李樹強; 張新; 湯慶敏; 任忠祥; 徐現剛 山東大學晶體材料重點實驗室; 山東華光光電子有限公司 【期刊】半導體技術 2008-12-31
43 SiC襯底上MOCVD法外延GaN基藍光LED 朱學亮; 曲爽; 劉存志; 李樹強; 夏偉; 沈燕; 任忠祥; 徐現剛 山東華光光電子有限公司; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】半導體技術 2008-12-31
44 4H-Si(1-y) Cy 合金的生長及特性 俞斐; 吳軍; 韓平; 王榮華; 葛瑞萍; 趙紅; 俞慧強; 謝自力; 徐現剛 ; 陳秀芳; 張榮; 鄭有炓 南京大學物理學系江蘇省光電信息功能材料重點實驗室; 山東大學晶體材料研究所晶體材料國家重點實驗室 【期刊】半導體技術 2008-12-31
45 SiC單晶片的超精密加工 李娟; 陳秀芳; 馬德營; 姜守振; 李現祥; 王麗; 董捷; 胡小波; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 山東濟南; 山東濟南 【期刊】功能材料 2006-01-20
46 6H-SiC單晶生長溫度場優化及多型控制 李現祥; 胡小波; 董捷; 姜守振; 李娟; 陳秀芳; 王麗; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2006-02-28
47 AlN單晶生長研究進展 李娟; 胡小波; 姜守振; 陳秀芳; 李現祥; 王麗; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2006-02-28
48 同步輻射白光形貌術觀察SiC單晶中的微小多型結構 李現祥; 董捷; 胡小波; 李娟; 姜守振; 王麗; 陳秀芳; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華; 田玉蓮; 黃萬霞; 朱佩平 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 北京高能物理研究所同步輻射實驗室; 北京高能物理研究所同步輻射實驗室 山東濟南; 山東濟南 【期刊】功能材料 2006-04-20
49 BN坩堝中的AlN單晶生長 李娟; 胡小波; 姜守振; 王英民; 寧麗娜; 陳秀芳; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2006-04-30
50 PIN結構發光二極管反向擊穿特性分析 李樹強; 夏偉; 馬德營; 張新; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學; 山東大學; 山東華光光電子有限公司; 山東大學 山東濟南; 山東濟南 【期刊】光電子?激光 2006-04-15
51 Mg摻雜AlInP 650 nmLD外延片的Zn擴散研究 李樹強; 馬德營; 夏偉; 陳秀芳; 張新; 任忠祥; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東華光光電子有限公司; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 山東濟南; 山東濟南 【期刊】光電子?激光 2006-07-15
52 6H-SiC晶片的退火處理 姜守振; 李娟; 陳秀芳; 王英民; 寧麗娜; 于光偉; 胡小波; 徐現剛 ; 王繼楊; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2006-10-30
53 同步輻射背反射白光形貌術觀察6H-SiC單晶中的小角晶界和微管 姜守振; 黃先榮; 胡小波; 李娟; 陳秀芳; 王英民; 寧麗娜; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 紐約州立大學石溪分校材料科學與工程系; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 山東濟南; 美國紐約11794; 山東濟南 【期刊】功能材料 2006-12-20
54 MOCVD生長低閾值電流GaInP/AlGaInP 650nm激光器 夏偉; 王翎; 李樹強; 張新; 馬德營; 任忠祥; 徐現剛 山東大學信息科學與工程學院; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學信息科學與工程學院; 山東華光光電子有限公司; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2006-12-30
55 沿[1 ■00]方向升華法生長6H-SiC單晶 姜守振; 李娟; 陳秀芳; 王英民; 寧麗娜; 胡小波; 徐現剛 ; 王繼楊; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2007-02-28
56 SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展 姜守振; 徐現剛 ; 李娟; 陳秀芳; 王英民; 寧麗娜; 胡小波; 王繼楊; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】半導體學報 2007-05-15
57 微小孔徑激光器的光譜特性綜述 蓋洪峰; 王佳; 田芊; 夏偉; 徐現剛 清華大學精密儀器系精密測試技術及儀器國家重點實驗室; 山東大學; 山東大學 北京 【期刊】光學技術 2007-07-20
58 3英寸6H-SiC單晶的生長 王英民; 寧麗娜; 陳秀芳; 彭燕; 高玉強; 胡小波; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2007-06-15
59 高透腔面大功率650nm紅光半導體激光器 夏偉; 馬德營; 王翎; 李樹強; 湯慶敏; 張新; 劉琦; 任忠祥; 徐現剛 山東大學信息科學與工程學院晶體材料國家重點實驗室; 山東大學信息科學與工程學院晶體材料國家重點實驗室; 山東華光光電子有限公司; 山東大學信息科學與工程學院晶體材料國家重點實驗室 山東濟南; 山東濟南 【期刊】中國激光 2007-09-15
60 6H-SiC襯底片的表面處理(英文) 陳秀芳; 徐現剛 ; 胡小波; 楊光; 寧麗娜; 王英民; 李娟; 姜守振; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2007-10-15
61 Mn/6H-SiC(0001)界面的同步輻射光電子能譜研究 武煜宇; 劉金鋒; 孫柏; 劉忠良; 徐彭壽; 陳秀芳; 徐現剛 中國科學技術大學國家同步輻射實驗室; 中國工程物理研究院流體物理研究所; 中國科學院合肥智能機械研究所; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】核技術 2008-12-10
62 硅粉形貌對人工合成高純碳化硅粉料的影響 寧麗娜; 胡小波; 王英民; 王翎; 李娟; 彭燕; 高玉強; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】功能材料 2008-12-20
63 6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱結構制備及其發光特性 劉金鋒; 劉忠良; 任鵬; 徐彭壽; 陳秀芳; 徐現剛 中國科學技術大學國家同步輻射實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 中國工程物理研究院流體物理研究所; 四川綿陽 【期刊】物理化學學報 2008-04-15
64 6H-SiC單晶表面ZnO薄膜的制備及其結構表征 孫柏; 李銳鵬; 趙朝陽; 徐彭壽; 張國斌; 潘國強; 陳秀芳; 徐現剛 中國科學技術大學國家同步輻射實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】無機材料學報 2008-04-15
65 透射電子顯微術和高分辨X射線衍射技術研究AlN單晶生長習性 李娟; 胡小波; 高玉強; 王翎; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室 【期刊】人工晶體學報 2008-10-15
66 SiC單晶生長 劉喆; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 山東濟南; 山東濟南 【期刊】材料科學與工程學報 2003-04-20
67 Er:Yb:YCOB晶體制備及其激光二極管抽運激光特性 葛炳輝; 張懷金; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華; Phillip Burns; Judith M.Dawes; PU Wang; James A.Piper 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; Center for Lasers and Applications; Maquarie University; Sydney NSW 2109; Australia; Australia 濟南 【期刊】人工晶體學報 2003-10-30
68 大直徑6H-SiC單晶的生長 徐現剛 ; 胡小波; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2003-10-30
69 金剛石線鋸切割大直徑SiC單晶 陳秀芳; 李娟; 馬德營; 胡小波; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 山東濟南; 山東濟南 【期刊】功能材料 2005-10-20
70 新型BiB3 O6 晶體高效和頻產生355nm紫外激光 張少軍; 董圣明; 李福奇; 翟仲軍; 徐現剛 ; 王繼揚; 王青圃; 張福軍; 張行愚; 李平 山東大學晶體材料研究所晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料研究所晶體材料國家重點實驗室; 山東大學光學系; 山東大學光學系 山東濟南; 山東濟南 【期刊】中國激光 2003-12-25
71 核殼型復合半導體納米粒子的研究 于乃森; 李玲; 郝霄鵬; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 山東濟南; 山東濟南 【期刊】材料科學與工程學報 2004-06-20
72 6H-SiC單晶的生長與缺陷 胡小波; 徐現剛 ; 王繼揚; 韓榮江; 董捷; 李現祥; 蔣民華 山東大學; 晶體材料國家重點實驗室; 山東大學; 晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】硅酸鹽學報 2004-03-26
73 激光二極管抽運被動調Q周期極化鈮酸鋰腔內倍頻激光特性的研究 張少軍; 王青圃; 徐現剛 ; 董春明; 張行愚; 李平; 張偉; 劉兆軍; 李昀初 山東大學晶體材料研究所晶體材料國家重點實驗室; 山東大學光學系; 山東大學晶體材料研究所晶體材料國家重點實驗室; 山東大學光學系 濟南 【期刊】光學學報 2004-05-17
74 升華法生長大直徑的SiC單晶 李娟; 胡小波; 王麗; 李現祥; 韓榮江; 董捷; 姜守振; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】中國有色金屬學報 2004-12-30
75 SiC單晶生長熱力學和動力學的研究 董捷; 劉喆; 徐現剛 ; 胡曉波; 李娟; 王麗; 李現祥; 王繼揚 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2004-06-30
76 6H-SiC單晶中的微管和小角度晶界 韓榮江; 王繼揚; 胡小波; 徐現剛 ; 董捷; 李現祥; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2004-06-30
77 立方氮化鋁納米晶的溶劑熱合成及其對二甲苯催化性質的研究 李玲; 郝霄鵬; 于乃森; 徐現剛 ; 崔德良; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2004-06-30
78 同步輻射單色光形貌術觀察6H-SiC單晶中的微管缺陷 胡小波; 徐現剛 ; 李現祥; 董捷; 韓榮江; 王麗; 李娟; 王繼揚; 田玉蓮; 黃萬霞; 朱佩平 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 北京高能物理研究所同步輻射實驗室; 北京高能物理研究所同步輻射實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2004-06-30
79 6H-SiC單晶(0001)Si-面的表面生長形貌 韓榮江; 王繼揚; 胡小波; 董捷; 李現祥; 李娟; 王麗; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2004-06-30
80 Nd:LuVO4 晶體的生長及其性能研究 趙守仁; 張懷金; 胡小波; 孔海寬; 劉均海; 徐現剛 ; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2004-06-30
81 微管在6H-SiC單晶生長過程中的演化 韓榮江; 王繼揚; 徐現剛 ; 胡小波; 李娟; 李現祥; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 青島科技大學材料與環境科學學院青島 【期刊】硅酸鹽學報 2004-11-26
82 新型鎢青銅型晶體Ca(0.28) Ba(0.72) Nb2 O6 的生長研究 宋化龍; 張懷金; 徐現剛 ; 胡小波; 許心光; 王繼揚; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2004-10-30
83 顯微激光拉曼光譜法鑒別SiC晶體的多型體結構 韓榮江; 王繼揚; 徐現剛 ; 胡小波; 董捷; 李現祥; 李娟; 姜守振; 王麗; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 青島科技大學材料與環境科學學院 【期刊】人工晶體學報 2004-12-30
84 高分辨X射線衍射法研究碳化硅單晶片中的多型結構 董捷; 胡小波; 徐現剛 ; 王繼揚; 韓榮江; 李現祥 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2004-12-30
85 BaWO_4多晶料的合成與優質單晶的生長 葛文偉; 張懷金; 王繼揚; 劉均海; 徐現剛 ; 胡小波; 劉宏; 尹鑫; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】人工晶體學報 2005-02-28
86 Ⅲ-Ⅴ族半導體納米晶體表面對氮分子的吸附作用 王立民; 劉振剛; 董守義; 于美燕; 郝霄鵬; 崔得良; 徐現剛 ; 王琪瓏 山東大學微納材料中心; 山東大學化學與化工學院; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學化學與化工學院 濟南 【期刊】人工晶體學報 2002-08-30
87 納米氮化鋁常壓溶劑熱合成及其光致發光 于美燕; 王立民; 郝霄鵬; 董守義; 徐現剛 ; 王琪瓏 山東大學化學與化工學院; 山東大學微納材料中心; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學化學與化工學院 濟南 【期刊】人工晶體學報 2002-12-30
88 GaP/桑色素納米復合材料自組織形態與桑色素濃度的關系 史桂霞; 白玉俊; 郝霄鵬; 崔得良; 劉振剛; 徐現剛 ; 王琪瓏 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學化學與化工學院; 山東大學化學與化工學院 山東濟南; 山東濟南 【期刊】山東大學學報(理學版) 2002-04-30
89 有機襯底SnO_2:Sb透明導電膜的制備與特性研究 郝曉濤; 馬瑾; 徐現剛 ; 楊鶯歌; 張德恒; 楊田林; 馬洪磊 山東大學物理與微電子學院光電材料與器件研究所; 山東大學物理與微電子學院光電材料與器件研究所; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 淄博學院數理系; 山東大學物理與微電子學院光電? 【期刊】物理學報 2002-02-12
90 一種基于能帶工程設計的CaAsSb/InP異質結雙極晶體三極管 劉喆; 唐喆; 崔得良; 徐現剛 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】物理 2002-05-24
91 Ga As/Al Ga As多量子阱結構中的電子干涉 程興奎; 黃柏標; 徐現剛 ; 任紅文; 劉士文; 蔣民華 山東大學光電材料與器件研究所; 山東大學晶體材料所 【期刊】電子學報 2001-05-25
92 GaP納米復合發光材料的制備和性質 崔得良; 尉吉勇; 潘教青; 郝霄鵬; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 山東濟南; 山東濟南 【期刊】功能材料 2001-10-25
93 GaAsSb/InP異質結晶體三極管 徐現剛 ; S.P.Watkins 山東大學晶體材料國家重點實驗室; Physics Department; Simon Fraser University; Burnaby; Canada 【期刊】固體電子學研究與進展 2001-03-30
94 InGaAs/InP異質結界面層的應變研究 徐現剛 ; 崔得良; 唐喆; 郝霄鵬; K.Heime 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; Institut fｒ Ｈａｌｂｌｅｉｔｅｒｔｅｃｈｎｉｋ 濟南; RWTH Aachen; Germany 【期刊】中國科學(A輯) 2001-09-20
95 利用納米晶的催化性質合成二聯苯 崔得良; 郝霄鵬; 于曉強; 史桂霞; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】中國科學(B輯 化學) 2001-10-20
96 有機襯底SnO_2∶Sb透明導電膜的研究 馬瑾; 郝曉濤; 馬洪磊; 張德恒; 徐現剛 山東大學物理與微電子學院光電材料與器件研究所; 山東大學物理與微電子學院光電材料與器件研究所; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】半導體學報 2002-06-08
97 基于InP襯底的GaAsSb/InP異質結晶體管 徐現剛 ; 劉喆; 崔得良 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東大學晶體材料國家重點實驗室 濟南 【期刊】半導體學報 2002-09-08
98 熱循環對 Cu Zn Al Mn Ni記憶合金中雙可逆相變的影響(英文) 白玉俊; 徐現剛 ; 耿貴立 山東科技大學機械系; 山東大學材料科學與工程學院; 山東大學材料科學與工程學院 山東濟南; 山東濟南 【期刊】稀有金屬材料與工程 2002-04-25
99 加熱速率對CuZnAlMnNi記憶合金中雙可逆相變的影響(英文) 白玉俊; 魯成偉; 徐現剛 ; 耿貴立; 尹龍為 山東科技大學; 山東大學材料科學與工程學院; 山東濟南 【期刊】稀有金屬材料與工程 2002-10-25
100 AlGaAs/AlAs體系DBR的MOCVD生長及表征 尉吉勇; 黃柏標; 于永芹; 周海龍; 岳金順; 王篤祥; 潘教青; 秦曉燕; 張曉陽; 徐現剛 山東大學晶體生長國家重點實驗室; 山東大學晶體生長國家重點實驗室; 山東華光光電子有限公司; 山東大學晶體生長國家重? 【期刊】光電子?激光 2002-08-25
101 MOCVD生長GaAs／Alx Ga(1－x) As多量子阱子帶間紅外吸收特性 程興奎; 黃柏標; 徐現剛 ; 劉士文; 任紅文; 蔣民華 山東大學光電材料與器件研究所; 山東大學晶體材料研究所 【期刊】紅外與毫米波學報 1994-02-25
102 高-低溫溶液晶體生長溶質邊界層的全息研究 于夕玲; 劉有臣; 岳學鋒; 孫毅; 徐現剛 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所 山東 【期刊】中國科學(A輯 數學 物理學 天文學 技術科學) 1994-12-15
103 MOCVD法制備GaSb、GaAsSb、AlGaSb和AlGaAsSb異質外延材料 劉士文; 徐現剛 ; 黃柏標; 劉立強; 任紅文; 蔣民華 山東大學晶體材料研究所 【期刊】稀有金屬 1994-01-04
104 MOCVD制備GaAs/AlGaAs多量子阱的光致發光特性 程興奎; 黃柏標; 徐現剛 ; 劉士文; 任紅文; 蔣民華 山東大學光電材料與器件研究所; 山東大學晶體材料研究所 【期刊】山東大學學報(自然科學版) 1996-12-25
105 GaAs/AlGaAs多量子阱結構的電子干涉與紅外吸收 程興奎; 黃柏標; 徐現剛 ; 劉士文; 任紅文; 蔣民華 山東大學光電材料與器件研究所; 山東大學晶體材料研究所 【期刊】紅外與毫米波學報 1997-10-25
106 MOCVD生長高鋁值Alx GaAs(x≥0.7)中的碳摻雜 王成新; 黃柏標; 徐現剛 ; 秦曉燕; 于淑琴; 蔣民華 山東大學晶體材料研究所 【期刊】山東大學學報(自然科學版) 1997-09-25
107 MOVPE生長GaAs/Alx Ga(1-x) As超晶格及其TEM表征 徐現剛 ; 黃柏標; 任紅文; 劉士文; 蔣民華 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所 山東 【期刊】紅外與毫米波學報 1992-04-30
108 MOCVD生長GaAs/AlGaAs清晰超薄異質外延材料 劉士文; 任紅文; 劉立強; 徐現剛 ; 黃柏標; 蔣民華 山東大學晶體材料國家實驗室; 山東大學晶體材料國家實驗室; 山東大學晶體材料國家實驗室 濟南 【期刊】自然科學進展 1992-08-28
109 MOCVD 生長及 TEM 表征 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子異質結構材料 徐現剛 ; 黃柏標; 劉士文; 任紅文; 于淑琴; 蔣民華 山東大學; 山東大學 【期刊】材料科學進展 1993-05-01
110 MOCVD生長GaAs/AlGaAs摻雜量子異質結構工藝評價 任紅文; 劉士文; 徐現剛 ; 黃柏標; 蔣民華 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所 濟南 【期刊】人工晶體學報 1993-07-02
111 MOCVD法生長(Al,Ga)As碳摻雜機理研究 黃柏標; 劉士文; 徐現剛 ; 任紅文; 蔣民華 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所 【期刊】稀有金屬 1993-06-30
112 多層介質中的離子射程分布 夏日源; 徐現剛 ; 張兆林; 譚春雨; 楊洪; 孫秀芳 山東大學物理系; 山東大學物理系; 山東大學計算機科學系 【期刊】物理學報 1989-07-30
113 MOCVD制備GaAs/AlGaAs異質結和異質結雙極晶體管(HBT)的研究 黃柏標; 劉士文; 任紅文; 劉立強; 蔣民華; 徐現剛 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所 濟南 【期刊】固體電子學研究與進展 1991-10-01
114 MOCVD制備GaAlAs/GaAs和GaSb/GaAs超晶格結構 黃柏標; 徐現剛 ; 劉士文; 劉立強; 蔣民華 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所 濟南 【期刊】人工晶體學報 1991-12-31
115 AlGaSb和AlGaAsSb薄膜材料的MOCVD法生長 黃柏標; 劉士文; 徐現剛 ; 劉立強; 蔣民華 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所 濟南 【期刊】人工晶體學報 1991-12-31
116 MOCVD外延GaAs(1-x) Sbx /GaAs異質材料 徐現剛 ; 黃柏標; 劉士文; 劉立強; 任紅文; 蔣民華 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所 濟南 【期刊】人工晶體學報 1991-12-31
117 MOCVD生長單層和多層GaSb/GaAs、GaAs(1-x) Sbx /GaAs異質結構的X射線測試 劉士文; 徐現剛 ; 黃柏標; 劉立強; 蔣民華; 黃萍 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所; 山東師范大學調試中心 濟南 【期刊】人工晶體學報 1991-12-31
118 下頜骨的測量、相關和性別判別 劉美音; 徐現剛 ; 王懷經; 沈效農; 段德剛 山東醫科大學; 山東大學; 山東醫科大學 【期刊】解剖學雜志 1991-03-02
119 MOCVD生長GaAs/AlGaAs量子阱研究 任紅文; 黃柏標; 劉士文; 劉立強; 徐現剛 ; 蔣民華 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所; 山東大學晶體材料研究所 濟南 【期刊】固體電子學研究與進展 1992-04-01
先后獲洪堡學者、長江學者、泰山學者、英國工程師協會(IEE)和美國工程師協會(IEEE)最佳論文獎、國家杰出青年基金獲得者、山東省留學回國創業獎、國務院政府特殊津貼等。
1． 2000年山東省十大杰出留學歸國科技專家。
2． 2001年獲“國家杰出青年基金”獎。
3． 2003年獲山東省科技進步一等獎。
4． 2004年獲“山東省十大杰出青年”榮譽稱號。
5． 2005年被教育部聘為“長江學者”特聘教授。
6． 2007年享受國務院政府特殊津貼。
7． 2012年獲“全國優秀科技工作者”榮譽稱號。
資料更新中……
特聘教授的魅力——記山東大學徐現剛教授
三年前，年僅35歲的歸國博士徐現剛成為教育部首批“長江學者獎勵計劃”特聘教授時，在山東大學曾激起一陣波瀾。三年來，徐教授的戰績頻頻傳出。為了解他的成功秘訣及創業歷程，我走進晶體所，走進華光公司，走進他的家。
產學研三駕并驅
“話語不多，肯鉆研，好琢磨，動手能力強，善于解決實際工作中遇到的疑難問題，是很難得的實干家……” 中國科學院院士、博士生導師蔣民華教授很了解他的學生。當教育部首次評審“長江學者獎勵計劃”特聘教授時，蔣院士首先想到的是身居海外的弟子徐現剛。同時，徐現剛在國外也一直關注國內的發展，網上看到國內鼓勵大學教授走出校園搞產學研一條龍時，激情迸發：“我要發揮自己的優勢，回國趟出一條半導體產業化之路”。師徒二人一拍即合。徐現剛成為教育部首批“長江學者獎勵計劃”特聘教授，于2000年1月1日舉家歸國，來到培育他的母校，繼續從事晶體材料的研究，并投身于產業化的嘗試。
徐教授選擇了自己的路，并為之不懈奮斗。2000年，他成為山東大學第一位獲得“國家杰出青年科學基金”資助的青年博士；2001年，他主持的碳化硅（SiC）方面的課題得到國家“863”計劃的支持；2002年，他和華光光電子公司同仁共同承擔的“半導體發光器件外延工藝及管芯技術”項目，通過專家組驗收……
科研是徐教授的鐘愛。他研究的SiC，是我們國家急需的第三代半導體。一般的半導體材料在高溫下就失效了，而用碳化硅做的半導體器件可以在高溫下起作用。碳化硅這種高溫半導體材料不僅是重要的戰略物資，而且是一種極有市場前景的襯底材料。為了該項目，徐教授和晶體所王繼揚所長在今年春節除夕夜，就去德國考察碳化硅晶體材料的設備問題。費盡周折，終于在今年5月份簽定了設備供貨合同。目前，這一課題重大的科學意義、戰略價值和應用背景正吸引了一批有志于為這一材料研究做貢獻的科技工作者，他們在徐教授的主持下，正在一步步努力前行。從設備到工藝，從原料到加工，盡管剛剛起步，已經浸漬著徐教授的心血和汗水。面對著各方面的壓力，徐教授仍充滿著信心，爭取在明年年底拿出高水平的單晶來。
也許，按照徐教授的背景、積累和實力，從事基礎研究會得心應手，論文、成果會源源而來。但是，他更深深地了解，我國的半導體產業需要振興和發展，我們要在世界半導體產業中占有一席之地。為此，他始終不忘自己的奮斗目標:為祖國半導體產業的發展趟出一條路。目標既定，徐教授便勇往直前。回國兩年，他和山東華光光電子公司同仁一道于2002年４月份，由他們共同承擔的“半導體發光器件外延工藝及管芯技術”項目，通過專家組驗收，即將批量生產。
由山大以科研成果參股的山東華光光電子有限公司，承擔國家計委產業化前期關鍵技術開發重大高技術項目-“半導體發光器件外延工藝及管芯技術”，它是迄今為止山東省信息產業規模最大、國家和省撥款支持最多的技術研發項目。“半導體發光器件外延工藝及管芯技術”課題分三部分：激光二極管外延片、發光二極管外延片及管芯。徐教授在公司里是總工程師，同時負責激光二極管外延工藝方面的研制。
“徐教授非常務實，具有科學的態度”，華光公司的同仁們說。他研制的“808nm無鋁應變量子阱激光器”，采用先進的MOCVD設備進行材料的外延，優化了器件制備工藝，得到性能穩定可靠的大功率808nm半導體激光器，項目采用的激光器結構既可以提高激光器的可靠性和發光效率，又能降低閾值電流密度，在技術上具有創新性；而“650nm應變量子阱激光器”，則采用三次外延工藝，得到性能穩定重復的基橫模650nm激光器管芯，管芯的最大輸出功率在20mW以上。
在成果鑒定會上，以國家自然科學基金委副主任周炳琨院士為首的驗收專家們一致認為這些“技術及產品性能指標均達國際先進水平，并擁有自己知識產權，他們圓滿地完成了國家計委下達的任務，成功地將實驗室科研成果轉化為具有優勢的產業化前期關鍵技術，并具有一定的生產能力。”從此，半導體發光器件有了“中國芯”，打破了半導體外延材料被美國、日本、臺灣等國家和地區壟斷的局面。
采訪中，華光公司總經理說，徐教授最擅長的專業本來不是激光二極管外延工藝，但由于原主持這項工作的負責人突然去世，造成激光二極管方面的學術帶頭人空缺，眼看完成國家任務就要受到影響，在這種情況下，“徐教授在不是他優勢的領域頂起來了，而且做得很好，出類拔萃。”徐教授成功了，這是一次自我挑戰的成功，他深厚的科研功底也由此可見一斑。
解決疑難問題的高手
來自山東寧陽的徐教授，憑著一股韌勁，一口氣在山大攻下學士、碩士、博士學位。1992年博士畢業后，留在山大晶體所從事金屬有機化合物氣相沉積（MOCVD）生長Ⅲ-V族半導體薄膜及器件制備等方面的研究工作。
由于學術成績及其研究潛力，1995年，徐教授獲德國洪堡獎學金資助，成為山東大學第二位得此資助的青年博士。他選擇了在半導體界具有很高聲譽的德國亞琛大學半導體研究所，該所是世界上最早開展MOCVD研究的單位之一。在那里，徐教授在國際著名半導體專家K？Heime教授的指導下，從事探索MCOVD用新型金屬有機化合物源的研究工作。
同時，像種子找到了發芽的泥土，徐教授的勤于動腦、善于動手和扎實的基本功在研究過程中找到了用武之地。剛到亞琛大學半導體研究所時，正趕上所里的研究工作遇到困難，研究人員連續三年未長出表面光亮的外延薄膜，眼看項目結題的期限就要到了，Heime教授很是著急。徐教授到后，邊熟悉設備，邊找問題。憑著以往的工作經驗和耐心細致的觀察，終于找到了問題所在。原來，在設備復雜的管路系統中，有一處不銹鋼管道內沉積了雜質。在密密的不銹剛管道內，雜質用眼睛看不到，很難發現，只有細心地觀察和分析才能從一些參數中找出一點點線索。問題解決后，材料質量有了質的飛躍。Heimie教授及其高級助手非常高興，連夸徐教授是材料制備方面的專家，所里的其他同事，也對他欽佩不已。
剛完成德國洪堡獎學金工作，徐教授便應邀前往加拿大Simon Fraser大學從事研究工作。去后正趕上那兒調整、改裝設備，有徐教授的參與，從設備安裝，到最后出樣品，僅用了4個月的時間，令加拿大同行對他超群的科研能力和良好的合作精神十分欽佩。Simon教授在推薦信中寫到：“徐現剛博士對HBTs項目的成功做出了突出貢獻，沒有他在MOCVD技術方面的豐富經驗和夜以繼日的勤奮工作，我們不可能在這么短的時間里取得成功。”
蔣院士為有這樣的學生而欣慰，他說：“徐現剛應用素質很高，技術扎實。這樣的人才很難得，他是從實踐中產生出來的，我把他叫做解決疑難問題的高手。”
徐教授在半導體領域不斷攀登。他采用MOCVD制備出高質量的GaAsSb/Inp雙異質結晶體三極管，其結果處于國際領先地位。以此研究結果發表的論文獲1998年英國工程師協會(IEE)的最佳論文獎，后獲美國工程師協會該年度最佳論文獎。英國工程師協會和美國工程師協會是世界上兩個重要的學術組織，半導體領域的諾貝爾獎金獲得者和國際權威，大多是兩協會的成員。對搞半導體的學者來說，從這兩個協會獲獎，是極高的榮譽。
一個謙遜又富于合作精神的人
不管在學校，還是在公司，徐教授的勤奮、敬業和出色的科研能力都是有口皆碑的。同時他的人品也和學識一樣被人賞識。徐教授特別強調合作精神和團體力量在科研過程中的作用。“半導體領域的研究涉及到大型儀器和精密工藝，一個人本事再大，也不可能把所有的事情都做好，搞科研一定要有合作精神。”在加拿大，徐教授除了自己努力工作，還熱心幫助別人，協助指導研究生的工作，從不計較個人的利害得失。直到現在，他還和世界各地的許多同行專家保持著密切聯系。
徐教授不喜歡張揚，這點筆者深有感觸。“千呼萬喚始出來”，費了不少口舌才說服他接受采訪。淡薄名利的思想，讓他一心一意投入到工作中，這也許是他事業獲得成功的一個因素吧。
生活中的徐教授在妻子眼中是個“感情很細膩的人，對家人很細致，體貼入微，他雖然沒時間，但心里有家人。”難怪王所長說：“某一方面好不容易，全面好更不容易，全面好而且又加上人品好，我愿意用‘難得‘兩個字形容他。我很欣賞他，并不是因為他一點、兩點，而是他整體都相當地強，而且，我更注重的還是人品。有的人有點成績，就恨不得身前掛著個牌子，向人們炫耀。徐現剛非常克制，不爭名，不奪利，品質相當高。有時他也有委屈，但還是兢兢業業、任勞任怨地做工作。他對蔣院士等前輩相當尊重，跟同齡人相處都很坦誠、推心置腹，對年輕人也很愛護，跟大家相處得很好，這樣謙遜又富于合作精神的人，是很難得的。”
這就是大家眼中的徐教授，一個實干家，一個謙遜的人，一個模范丈夫。面對鮮花、掌聲，他以一顆平常心待之，對于坎坷與泥濘，他用平常心視之。他風雨兼程，灑滿汗水的路上，已鮮花遍地。但為了明天的收獲，他正以更飽滿的熱情投入到新的耕耘中去。我們聽得見他堅實的腳步聲，祝愿他一路順風！
文章來源：《神州學人》2003年第1期
徐現剛：LED下游跟上游走 得材料者得天下
“話語不多，肯鉆研，好琢磨，動手能力強，善于解決實際工作中遇到的疑難問題，是很難得的實干家……”這是導師中國科學院蔣民華院士對徐現剛博士的評語。
徐現剛，40多歲，山東大學教授，博士生導師，教育部長江學者特聘教授，國家杰出青年基金獲得者，先后留學德國、加拿大和美國，2000年回國組建山東浪潮華光光電子有限公司技術團隊，投身于光電子產業。
十多年來，由徐現剛博士領軍的技術研發團隊在光電子外延材料、管芯和器件研制方面持續創新，獲得了業界的廣泛好評，另外在SiC單晶襯底產業化及產業配套建設的研究工作也取得了突破性的進展，3英寸SiC襯底已達到開盒即用水平，小批量提供國內急需的用戶使用。日前，其研發團隊在高功率碳化硅(SiC)襯底制備大功率LED芯片方面再次取得進展，倒裝垂直結構芯片裸晶功率接近400mW，與美國Cree公司近期投放市場的產品指標相當。
而徐現剛博士在接受記者采訪時卻一直強調沒做出什么成績，都是團隊共同努力的結果。“您為什么那么低調?”面對記者的追問，他說：“我不是低調，而是在穩打穩扎的做事，在當代，團隊是個人實現價值的重要基礎和必要條件，產業化項目需要各方面的精英人才，只有一個團隊才能完成任務。”在徐現剛博士看來，一個真正的科學家，是認真的做科研，做出實實在在的成績。
執著：20多年專注于一個領域
“從1989年開始做，20多年了，一直在鉆研MOCVD這個領域，對國際上出來的新技術方向和研究成果，我也會積極跟蹤學習，結合自己的經驗對研發方向做出及時的修正……”
從農村走出來的徐現剛立志要用所學知識創造財富。1989年，在蔣民華院士的引導下，他投入到了化合物半導體材料的外延生長以及器件制備研究，而高亮度AlGaInPLED是MOCVD薄膜生長技術最早獲得產業化的成果之一，作為國內最早進行MOCVD技術研究的團隊核心成員，徐現剛迅速把自己的研究方向集中到LED有機地結合的化合物半導體光電子領域，并與這個產業結下了不解之緣。
1995年，獲得博士學位的徐現剛為了升華對專業知識的學習，又走出了國門，先后留學德國、加拿大和美國。在國外留學期間，徐現剛堅持用時間換資本，將大量的時間都投入到了工作和學習中。“那個時候早上7點多到實驗室，通常要工作到晚上十一二點，周末也基本都泡在里面。看的文獻，摞起來有2米多高，沒有那段時間的付出所打下的牢固基礎，就不可能有后面取得的成果。”
在加拿大不到兩年的留學時光讓徐現剛博士比較難忘。當時，其所在的研究所承擔的研究課題在生長表面光亮的外延薄膜上遇到了重大難題，徐現剛憑著以往的工作經驗和刻苦研究，最終解決了研究所過去3年都未能攻克的難關，使該所的外延材料質量有了質的飛躍，由此材料制備的器件的技術水平得到國際同行認可，奠定了他在MOCVD外延生長領域的地位。
此后，留學美國的經歷讓徐現剛對產業化有了更系統的理解，羽翼也更為豐滿。“對整個MOCVD薄膜技術的應用已積累了近10年的認識，理解更深刻。”那個時候徐現剛想著回國干一番事業，2000年他毅然回到了中國，夢想著在國內通過自主創新，搭建一個國際知名的化合物半導體光電子品牌企業。 回國后的徐現剛憑借著對材料學的理解，長時間的投入思考，一步步實現著他的科技理想。 他對研究領域的熱愛可以用“癡迷”來形容，對技術問題解決方法的思索漸漸融入到了他生活的每時每刻。在家吃飯時開著電視看著，當夫人跟他談論電視場景時，他卻一臉茫然，思緒早就飛到了工作上。他說起一個“紅燈剎車獲得靈感”的故事，也體現了他對工作是多么的投入。有一次下班后，徐現剛一邊開車，一邊在考慮W工藝LED結構問題。突然間，前車亮起的火紅的剎車燈讓徐現剛從科學思維的遨游中回到現實，正是這次的差點追尾激發的靈感成功解決了W工藝LED關鍵技術，將AlGaInP紅黃光LED的光效由20lm/W~30lm/W提升到60lm/W，達到國內領先水平。
“一個好的理論固然很重要，但如果找不到合適的材料去支持和驗證理論工作的完成，再好的思想也只是空中樓閣，更多需要一些悟性和技巧。”徐現剛說。 隨著在這個領域的不斷鉆研，一個個技術難點得以突破，一系列的榮譽也接踵而至：洪堡學者、長江學者、泰山學者、山東省科技進步一等獎、英國工程師協會(IEE)和美國工程師協會(IEEE)最佳論文獎、國家杰出青年基金獲得者、山東省十大杰出青年、山東省留學回國創業獎、國務院政府特殊津貼等。
“獎項的獲得是一種促進，但更多的是壓力和責任。要對得起這個獎項，對得起大家對你的肯定，所以后面更多的是一種不容松懈的動力。”徐現剛坦言，榮譽大部分是集體智慧的結晶，因為每一個大的項目都是一個系統工程，離不開整個團隊的齊心協力。
文章來源：《半導體照明網》2012-5-29
徐現剛：心之所向 行之所為
他，風華正茂時已經是領路人，不惑之年仍然是開拓者。心之所向，行之所為——他像一把號角，讓理想與智慧，在生命中奏響。
實干的理想主義者
“話語不多，肯鉆研，好琢磨，動手能力強，善于解決實際工作中遇到的疑難問題，是很難得的實干家……”這是中國科學院院士蔣民華教授生前對其學生徐現剛的評語。
2000年當教育部宣布徐現剛教授為首批“長江學者獎勵計劃”特聘教授時，年僅35歲的徐現剛激情迸發：“我要發揮自己的優勢，回國趟出一條半導體產業化之路。 ”
于是帶著夢想回到祖國，回到培育他的母校，繼續從事晶體材料的研究，并投身于產業化的嘗試，組建山東浪潮華光光電子有限公司技術團隊，走上產學研結合的創新之路。
回國后的徐現剛憑借著對材料學的理解和長時間的投入，一步步實現著他的科技理想。他對研究領域的熱愛可以用“癡迷”來形容，對技術問題解決方法的思索融入到了他生活的每時每刻。
十多年來，由徐現剛教授領軍的技術研發團隊在光電子外延材料、管芯和器件研制方面持續創新，獲得了業界的廣泛好評。他目前承擔了國家“973”、“863”、工信部電子基金等多項研發項目的開發，主要有SiC襯底制備等產業化項目，項目的研發都取得了突破性進展。
心懷夢想，并以堅定的姿態付諸現實，徐現剛教授帶著他的理想，執著地行走，在這位學者肅穆而威嚴的臉龐上，常常可以看到溫馨而充實的笑容。
走在執著之路上
徐現剛教授像一個不知疲倦的頑強戰士，他為探求真理付出了艱辛的勞動。
“從1989年開始做，20多年了，一直在鉆研MOCVD這個領域，對國際上的新技術方向和研究成果，我也會積極跟蹤學習，結合自己的經驗對研發方向做出及時的修正……”
1989年，在蔣民華院士的引導下，他投入到了化合物半導體材料的外延生長以及器件制備研究，作為國內最早進行MOCVD技術研究的團隊核心成員，徐現剛教授迅速把自己的研究方向集中到化合物半導體光電子領域，并與這個產業結下了不解之緣。
1995年，獲得博士學位的徐現剛為了升華對專業知識的學習，又走出了國門，先后留學德國、加拿大和美國。在國外留學期間，徐現剛將大量的時間都投入到了工作和學習中。“那個時候早上7點多到實驗室，通常要工作到晚上十一二點，周末也基本都泡在里面。看的文獻，摞起來有2米多高，沒有那段時間的付出所打下的牢固基礎，就不可能有后面取得的成果。 ”
在加拿大的留學時光，徐現剛教授至今難忘。當時，其所在的研究所承擔的研究課題在生長表面光亮的外延薄膜上遇到了重大難題，他憑著以往的工作經驗和刻苦研究，最終解決了研究所過去3年都未能攻克的難關，使該所的外延材料質量有了質的飛躍，由此材料制備的器件的技術水平得到國際同行認可，奠定了他在MOCVD外延生長領域的地位。
留學美國的經歷讓徐現剛教授對產業化有了更系統的理解，羽翼更為豐滿。那時的徐現剛夢想著能回國干一番事業，于是2000年毅然回國，之后便走上了“十年磨一晶”的執著之路。
歷經20多年專注的研究，他已成績突出，功力深厚。然而在徐現剛看來，所有的成績遠不是終點。踏著執著的步伐，他走得依然堅定，因為他的目光一直投向前方。
有一種力量叫責任
勞倫斯說過：“人生始終必須負擔責任。 ”在徐現剛教授的生命中，有一種力量正是“責任”。
心系故土，所以他放棄了國外的優厚生活毅然回國；情系祖國，所以他選擇了祖國亟需振興和發展的半導體產業。徐現剛教授用行動踐行著古訓——“天下興亡，匹夫有責”。這絕不是說出來的，而是腳踏實地干出來的。
其實，按照徐現剛教授的背景、積累和實力，從事基礎研究更得心應手，論文、成果會源源而來。但是，他深知我國的半導體產業需要振興和發展，我們要在世界半導體產業中占有一席之地。為此，他始終不忘自己的理想和目標：為祖國半導體產業的發展趟出一條路。
回國后的徐現剛教授深刻地感受到國內外產業間存在的差距。“當時在美國做實驗，設備壞了24小時之后就能獲得很好的維護和維修，保證設備正常運行。而那時的中國如果一個零配件壞了，報關、進口需等半年的時間，這給實驗工作造成了很大的困擾。 ”徐現剛教授感慨道：“高科技應是整個國家的高科技，原材料、核心零部件甚至關鍵設備都要能跟得上發展需求，都應積極扶持其國產化。”他認為，“在大面積推廣的前提下，如果上游核心技術不解決，成本就很難降下來，所以一定要攻克核心技術，支持國產化。 ”
他研究的SiC，是我們國家急需的第三代半導體。一般的半導體材料在高溫下就失效了，而用碳化硅做的半導體器件可以在高溫下起作用。碳化硅這種高溫半導體材料不僅是重要的戰略物資，而且是一種極有市場前景的襯底材料。
隨著不斷鉆研，一個個技術難點得以突破，一系列的榮譽也接踵而至：洪堡學者、長江學者、泰山學者、山東省科技進步一等獎、英國工程師協會（IEE）和美國工程師協會（IEEE）最佳論文獎、國家杰出青年基金獲得者、山東省十大杰出青年、山東省留學回國創業獎、國務院政府特殊津貼等。
面對一項項的榮譽，徐現剛教授坦言：“獎項的獲得是一種促進，但更多的是壓力和責任。要對得起這個獎項，對得起大家對你的肯定，所以后面更多的是一種不容松懈的動力。 ”
一個樸素的人
徐現剛教授出生于山東寧陽，他像家鄉的泥土一樣樸實，他用老百姓般最樸素最踏實的方式，回答著科研上深奧難解的問題。
不管在學校還是在公司，徐現剛教授的勤奮、敬業和出色的科研能力都是有口皆碑的，同時他的人品也和學識一樣被人賞識。“徐教授非常務實，具有科學的態度。 ”華光公司的同仁們說。
他以嚴謹的科學精神對待研究，并以身體力行的力量影響著學生。他的研究生崔瀠心說：“老師盡管非常忙，但是一有時間就到實驗室親自指導我們做實驗。 老師的要求非常嚴格，教導我們不但要精于專業知識，而且要廣學博知，我們受益匪淺。 ”
這就是大家眼中的徐現剛教授，一位腳踏實地的實干家、一位潛心科研的學者、一位謙遜和善的朋友。他以嚴謹的科學態度與理性精神，淵博寬厚、溫潤如玉的性格，淡泊名利和率真的人生態度詮釋了一位學者的風采。
徐現剛簡介：山東大學晶體材料國家重點實驗室副主任、長江學者特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、國務院學位委員會委員、國家“863計劃”半導體照明工程總體專家組成員、享受國務院特殊津貼。長期奮斗拼搏在教學、科研第一線，關注基礎研究創新，作為“973”首席科學家承擔國家重大基礎研究項目，承擔了國家中長期規劃之一的核心基礎元器件重大專項、“863項目”多項。
文章來源：《山東大學報》2012-10-20
徐現剛，男，1965年1月出生，山東泰安人，博士。現任山東大學晶體材料國家重點實驗室副主任，教授、博士生導師，長江學者特聘教授。
教育及工作經歷：
科學研究：
論文專著：
榮譽獎勵：
媒體報道一：